SANYO - HIT Double SOLARMODULE

Power von zwei Seiten
HIT - 205 DNKHE1
HIP - 200 DNKHE1
HIT-DNKH (Double®) the doubelsite aktiv glass/glass photovoltaik Modul
La cellule solaire SANYO HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) se compose d´une fine plaque de silicium mono - cristallin enrobée dans des couches de silicium amorphe ultra-fines. Ce procédé de fabrication, conçu d´aprés les techniques les plus modernes, permet d´obtenir les performances les plus élevées du marché.
- HIT Double® peut générer non seulement de l´électricité à partir de la face avant, mais aussi depuis la face arrière, car les cellules HIT sont constituées d´une structure biface
- Le rendement énergétique annuel peut augmenter de 26% comparé à celui d’un module HIT standard. Conditions: Orientation: Sud, Angle d´inclinaison: 20°, Albedo*: 64%. *Albedo: Ratio d’énergie réfléchie par rapport au sol.
Module solaire double face de SANYO

La cellule solaire respectueuse de l’environnement
Plus d’énergie propre
Les cellules HIT délivrent une puissance de sortie au m2
supérieure aux cellules solaires classiques en silicium cristallin.
Caractéristiques spécifiques
Les modules photovoltaiques SANYO HIT ne produisent
aucuns rejets, ne contiennent aucunes pièces mobiles
et sont donc silencieux. Les dimensions des modules
HIT permettent une installation compacte livrant un
maximum de puissance par rapport à la surface de
toiture disponible.
Le développement de la cellule solaire HIT a étépartiellement financé par l`Organisation pourle Développement des Energies Nouvelles et desTechnologies Industrielles (New Energy and IndustrialTechnology Development Organization, NEDO).

Afin de maximiser le rendement
- Toit plat constitué de matériaux àhaut pouvoir réfléchissant (60% au minimum)
- Absence d´ombres sur la face arrière au niveau de la structure de montage
- Espace libre entre le toit et le dessous du panneau (50 cm au minimum)
Modultypen HIT-205DNKHE1 / HIT-200DNKHE1
| Données électriques | 205DNKHE1 | 200DNKHE1 |
|---|---|---|
| Puissance maximum (Pmax) [W] | 205 | 200 |
| Tension de crête maximale (Vpm) [V] | 41,3 | 40,7 |
| Courant de crête maximale (lpm) [A] | 4,97 | 4,92 |
| Tension en circuit ouvert (Voc) [V] | 50,9 | 50,3 |
| Courant de court circuit (Isc) [A] | 5,43 | 5,40 |
| Puissance minimum garantie (Pmin) [W] | 194,8 | 190,0 |
| Puissance max. de la face arri.re (Pmax) [W] | 143 | 140 |
| Protection max. par surintensité inverse [A] | 15 | 15 |
| Tolérance de puissance de sortie [%] | +10/-5 | +10/-5 |
| Tension maximum de système [Vdc] | 1000 | 1000 |
| Coefficient de température de Pmax [%/°C] | -0,30 | -0,30 |
| Coefficient de température de Voc [V/°C] | -0,127 | -0,126 |
| Coefficient de température de Isc [mA/°C] | 1,63 | 1,62 |
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